Практикум «Глубинные интервью».
11 октября прошел практикум по глубинным интервью. Участники обсудили принципы методологий Customer Development и Jobs to be done, что позволило им лучше понять, как эти подходы могут быть применены в их проектах.
Участники на решали проблему одного из сотрудника МСБИ, составляя вопросы для интервью, где каждый вопрос прорабатывался и обсуждался. Сотрудник не знал, о какой именно проблеме его спрашивают, что позволило создать более реалистичную и эффективную практику.
Участники получили ценные знания и практические навыки, которые помогут им в развитии их проектов и стартапов.
Вебинар «Обзор инновационной экосистемы РФ и мер поддержки институтов развития. Представление всех элементов федерального проекта «ПУТП».
Участники вебинара узнали о возможностях поддержки своих проектов на уровне университета и государства. Также отметили возможности поддержки МСБИ «Дружба».
А также разобрали федеральный проект «Платформа университетского технологического предпринимательства», которая создана для поддержки и развития техпредства и создания в стране высокотехнологичных стартапов.
Воркшоп «Бизнес моделирование и ценностное предложение. Сегментация ЦА и работа с целевыми рынками».
24 октября прошел Воркшоп для студенческих стартап-команд.
Участники узнали методы бизнес-моделирования, смогли определить ценностное предложения своих проектов и разобрались в работе с различными сегментами целевой аудитории.
Смогли на своем примере, как правильно сегментировать рынок и как эффективно взаимодействовать с разными целевыми группами.
Будь на связи и читай новости «Стартап-Полигона V»!
Мероприятия пройдут при поддержке Автономной некоммерческой организации «Платформа Национальной технологической инициативы» и Министерства высшего образования и науки Российской Федерации целях организации акселерационных программ поддержки проектных команд и студенческих инициатив для формирования инновационных продуктов «на базе образовательных организаций высшего образования (Томского университета систем управления и радиоэлектроники)".